إنفينيون
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CY14B104K-ZS45XI NVSRAM (SRAM غير متطايرة) IC ذاكرة 4 ميجابت متوازية 45 نانوثانية 44-TSOP II |
CY14B104K-ZS45XI NVSRAM (SRAM غير متطايرة) IC ذاكرة 4 ميجابت متوازية 45 نانوثانية 44-TSOP II
|
|
1000 قطعة
|
|
|
|
|
IRF1407PBF قناة N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) من خلال الثقب إلى-220AB ترانزستورات RF |
IRF1407PBF قناة N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) من خلال الثقب إلى-220AB ترانزستورات RF
|
|
500 قطعة
|
|
|
|
|
IR3897MTRBF بوك التبديل المنظم IC إيجابي قابل للتعديل 0.5V 1 مخرج 4A 16-PowerVQFN |
IR3897MTRBF بوك التبديل المنظم IC إيجابي قابل للتعديل 0.5V 1 مخرج 4A 16-PowerVQFN
|
|
900PCS
|
|
|
|
|
IR3847MTRPBF باك التبديل منظم IC إيجابي قابلة للتعديل 0.6V 1 الإخراج 25A 33-POWERVFQFN |
IR3847MTRPBF باك التبديل منظم IC إيجابي قابلة للتعديل 0.6V 1 الإخراج 25A 33-POWERVFQFN
|
|
3000 قطعة
|
|
|
|
|
IR3564BMCC02TRP دوائر متكاملة متعددة المراحل للمتحكم الرقمي مزدوج الإخراج |
IR3564BMCC02TRP إخراج DITAL DIGITION
|
|
3000 قطعة
|
|
|
|
|
TZ310N26KS01 وحدة SCR 2.6 KV 700 وحدة تركيب هيكل واحد |
TZ310N26KS01 وحدة SCR 2.6 KV 700 وحدة تركيب هيكل واحد
|
|
100PCS
|
|
|
|
|
FF800R17KP4_B2 وحدات IGBT IGBT 1700V 800A الدوائر المتكاملة ICs |
FF800R17KP4_B2 وحدات IGBT IGBT 1700V 800A الدوائر المتكاملة ICs
|
|
100PCS
|
|
|
|
|
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np القناة الموسفيت |
BSC020N03MSG MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M Np القناة الموسفيت
|
|
2000 قطعة
|
|
|
|
|
SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP القناة Mosfet |
SPW47N60C MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 NP القناة Mosfet
|
|
500 قطعة
|
|
|
|
|
XE167FM72F80LRABKXUMA1 ميكروسيترولات 16 بت - MCU 16 بت فلاش C11 IMM |
XE167FM72F80LRABKXUMA1 ميكروسيترولات 16 بت - MCU 16 بت فلاش C11 IMM
|
|
2000 قطعة
|
|
|
|
|
FF450R12ME4 وحدات IGBT IGBT 1200V 450A |
FF450R12ME4 وحدات IGBT IGBT 1200V 450A
|
|
200PCS
|
|
|
|
|
IR38165MTRPBF منظمات الجهد الدخالي الواحد 15A 30ABuck مع SVID |
IR38165MTRPBF الجهد الكهربي أحادي الإدخال 15A 30ABuck المنظمين مع SVID
|
|
5000 قطعة
|
|
1
