ISL6625ACRZ-T نصف الجسر مدرب بوابة IC غير عكسية 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T نصف الجسر مدرب بوابة IC غير عكسية 8-DFN (2x2)
| رينيساس إلكترونيات | |
| فئة المنتج: | سائقي البوابات |
| RoHS: | تفاصيل |
| سائقي بوابة MOSFET | |
| الجانب العالي، الجانب المنخفض | |
| SMD/SMT | |
| 2 السائق | |
| 2 الناتج | |
| 20 مآ | |
| 5.5 فولت | |
| 13.2 فولت | |
| 31 سنة | |
| 18 ثانية | |
| 0 سي | |
| + 70 درجة مئوية | |
| ISL6625A | |
| ريل | |
| قطع شريط | |
| العلامة التجارية: | رينيساس / إنترسيل |
| الطول: | 0.9 ملم |
| الطول: | 2 ملم |
| حساسة للرطوبة: | نعم.. |
| نوع المنتج: | سائقي البوابات |
| الفئة الفرعية: | PMIC - وحدة التحكم في الكهرباء |
| التكنولوجيا | نعم |
| العرض: | 2 ملم |
| وزن الوحدة: | 0.000388 أوقية |
ISL6625A هو محرك MOSFET عالي التردد مصمم لتشغيل القناة N العليا والأسفل
MOSFETs في توبولوجيا محول الباك المبرر غير المتزامن. في ISL6625A ، يتم تحديد البوابات العليا والسفلية
هذا يوفر القدرة على تحسين التطبيقات التي تنطوي على
المقايضات بين شحن البوابة وخسائر التوصيل.
متكاملة لمنع كل من MOSFETs العلوي والسفلي من التوصيل في وقت واحد وتقليل
ISL6625A لديها 10kΩ المقاومة المتكاملة من الجانب العالي من البوابة إلى المصدر لمنع نفسها من التشغيل بسبب
إلى حافلة الدخول العالية dV/dt. هذا السائق يحتوي أيضا على ميزة حماية من الإفراط في الجهد
تحت عتبة POR. يتم توصيل PHASEnode بوابة MOSFET الجانب المنخفض (LGATE) عبر
المقاومة 30kΩ، الحد من الجهد الخارجي للمحول بالقرب من عتبة بوابة MOSFET المنخفضة.
هذا يعتمد على التيار الذي يتم تحويله، والذي يوفر بعض الحماية للحمل إذا كان العلوي
يتم اختصار MOSFETs.
التطبيقات
• منظمات الجهد عالية الكفاءة في الحمل الخفيف
• المنظمات الأساسية لمعالجات صغيرة متقدمة
• محولات التيار المباشر/المباشر عالية
الخصائص
• محركات MOSFET مزدوجة للجسر المتماثل المباشر
• الحماية المتقدمة التكيفية الصفرية لإطلاق النار - الكشف عن PHASE - الكشف عن LGATE - الصفر التلقائي لتأثير تحويل التوصيل rDS ((ON)
• تيار الانتظار المنخفض
• 36 فولت محول bootstrap الداخلي
• منع زيادة شحن مكثفات البوتستراب
• المقاومة المتكاملة من الجانب العالي من البوابة إلى المصدر لمنع التشغيل الذاتي بسبب حافلة المدخل العالية dV / dt
• الحماية من الإفراط في الجهد قبل POR للبدء والإيقاف
• الحماية من انخفاض فولت
• وسادة نحاسية قابلة للتوسع لأسفل لتعزيز غسل الحرارة
• حزمة مسطحة مزدوجة خالية من الرصاص (DFN) - تقريباً من البصمة الحزمة على نطاق الشريحة؛ يحسن كفاءة PCB وأرقل في الملف الشخصي• خالية من Pb (متوافقة مع RoHS)
