2SC5200-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)

Name: 2SC5200-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)
Brand: Wisdtech Technology Co.,Limited
SKU: 2SC5200-O(س)
Availability: InStock

الصانع:

توشيبا

الوصف:

2SC5200-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)

الفئة:

ترانزستورات RF

في الأوراق المالية:

2000 قطعة

سعر:

Email us for details

طريقة الدفع او السداد:

/ تي تي، ويسترن يونيون

طريقة الشحن:

LCL، AIR، FCL، Express

المواصفات

رمز التاريخ:

أحدث شفرة

الشحن عن طريق:

DHL / UPS / Fedex

الحالة:

جديد*أصلي

الضمان:

365 يوما

خالي من الرصاص:

متوافق مع الـ Rohs

أوقات التنفيذ:

إرسالها فوراً

الحزمة:

TO-3P-3

أسلوب التركيب:

من خلال الثقب

مقدمة

2SC5200-O(Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب

المصنع:	توشيبا
فئة المنتج:	ترانزستورات ثنائية القطب - BJT
RoHS:	تفاصيل
أسلوب التثبيت:	من خلال الثقب
العبوة / الحقيبه:	إلى 3ب 3
قطبية الترانزستور:	الـ NPN
التكوين:	العازب
الجهد الجهاز الجهاز الجهاز الجهاز الجهاز	230 فولت
الجهد القاعدي للجهد الجمع VCBO	230 فولت
الجهد القاعدي للجهاز: VEBO	5 فولت
فولتاج تشبع جهاز جمع الإشارات:	400 ميلو فولت
الحد الأقصى للتيار المستمر في مجمع التيار:	15 أ
Pd - تشتيت الطاقة:	150 واط
منتج عرض النطاق الترددي:	30 ميغاهرتز
الحد الأدنى لدرجة حرارة العمل:	-
درجة حرارة العمل القصوى:	+ 150 C
سلسلة:	2SC
العبوة:	الصندوق
العلامة التجارية:	توشيبا
التيار المستمر للمجمع:	15 أ
مجمع التيار المباشر / مكاسب أساسية:	55
زيادة التيار المستمر hFE Max:	160
الطول:	26 ملم
الطول:	20.5 ملم
نوع المنتج:	BJT - الترانزستورات ثنائية القطب
الفئة الفرعية:	ترانزستورات
التكنولوجيا	نعم
العرض:	5.2 ملم
وزن الوحدة:	0.239863 أوقية

تطبيقات مكبر الطاقة

• فولتاج الكسر العالي: VCEO = 230 فولت (دقيقة)

• تكملة لـ 2SA1943

• مناسبة للاستخدام في مستوى خروج مكبرات الصوت عالية الدقة 100 واط

2SC5200-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)

المواصفات

الشركة المصنعة: توشيبا
نوع الترانزستور: NPN
نوع الحزمة: TO-3PL
الحد الأقصى لتفريغ الطاقة: 150 واط
فولتاج جهاز التجميع (VCEO): 230V
الحد الأقصى لتلك الكهرباء: 15A
زيادة التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic، Vce: 55 @ 1A، 5V
التردد: 30MHz
نوع التثبيت: من خلال الثقب
درجة حرارة العمل: 150 درجة مئوية TJ
حالة الجزء: عفا عليها الزمن

2SC5200-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)

العلامات:

FDV303N,الرقمية FET قناة N Onsemi,ترانزستورات الراديو الراديو,

Digital FET N-Channel Onsemi,

Digital RF Transistors

منتجات ذات صلة

2SA1943-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)

2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)

	صورة	جزء #	الوصف
		2SA1943-O ((Q) ترانزستور ثنائي القطب (BJT) PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W من خلال الثقب TO-3P ((L)	2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)